等离子清洗在晶圆上有两个最常见的用途：改善表面的亲水性，以及去除表面的光刻胶。前者服务于后续的涂布、键合等工序，后者是光刻流程的收尾步骤。
晶圆等离子清洗广泛应用于集成电路制造、先进封装、MEMS 与功率器件制程，覆盖光刻胶去除（Ashing）、涂布前亲水处理、键合前活化等工序。
先说光刻胶去除。光刻是把电路图形转移到晶圆上的核心工序，做法是在晶圆表面涂一层光刻胶，曝光显影之后，胶层里留下图形的"模具"，再用它去遮挡后面的刻蚀或者沉积；图形用完之后，这层胶要去掉，才能进入下一个循环。去胶有湿法和干法两条路：湿法用溶剂浸泡，但溶剂对某些胶和某些结构的去除不彻底，而且废液处理有成本和环保压力；干法就是等离子灰化（Ashing）——用氧等离子把有机物氧化分解成二氧化碳和水汽之类的小分子，随气流抽走，它的好处是去得干净、不留残渣、也不产生需要处理的废液，而且能处理到精细结构之间的胶（液体的表面张力在小缝隙里进不去）。残胶是必须避免的，胶没去干净，会在后面的薄膜沉积或者刻蚀中充当掩膜，造成图形异常，或者形成颗粒污染，直接影响良率。
再说亲水性改善。晶圆表面在很多工序里需要"愿意被液体润湿"——涂胶要涂得均匀、清洗液要铺得开、电镀或者化学处理的液体要能进到细微结构里。硅片表面天然是疏水的（尤其是经过氢氟酸处理之后），液体在上面会缩成珠，涂布不均。等离子处理（常用氧等离子）会在表面接上羟基等极性基团，让表面从疏水变成亲水，水滴角明显下降，液体就能均匀铺展。
在晶圆等离子清洗过程中，整片均匀性、功率与电荷控制、颗粒引入控制与参数可追溯，是保证整片良率一致且不损伤器件的工艺要点。
工艺上的控制点：均匀性是第一位的，晶圆是一整片，上面有成百上千个芯片，处理不均匀意味着同一个工艺在不同位置的效果不同，最终良率会出现"边缘差、中间好"或者相反的情况，所以等离子设备要保证整片晶圆的均匀性；不能损伤器件，晶圆表面已经有精细的图形和薄膜，处理功率过高可能造成刻蚀或者电荷损伤，尤其是对栅氧这类敏感结构，要控制等离子带来的电荷积累；颗粒控制，处理过程本身不能引入颗粒，否则就等于污染；参数可追溯，半导体行业对工艺记录的要求很高，每个批次的参数都要能查。
制程节点继续推进，晶圆尺寸更大、结构更精细，对处理均匀性与电荷控制的要求同步提高。
RM新时代官网网址在等离子表面处理设备上有多年经验，可提供真空等离子处理方案，具备晶圆级均匀性，参数可控可追溯，处理过程无颗粒引入、无器件损伤，并能与涂胶、刻蚀等设备衔接。
残胶未除净：在后面工序充当掩膜造成图形异常。
亲水性不足导致涂布不均：表面仍呈疏水状态。
处理不均匀造成整片良率波动：出现边缘与中心的性能差异。
处理过度造成表面损伤：功率过高引起刻蚀或电荷损伤。
其他方案
